دیتاشیت SI2369DS-T1-GE3

SI2369DS-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI2369DS-T1-GE3
حجم فایل 84.664 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

دانلود دیتاشیت SI2369DS-T1-GE3

SI2369DS-T1-GE3 Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI2369DS-T1-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1.25W;2.5W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 36nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1295pF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 7.6A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 29mΩ@10V,5.4A
  • Package: SOT-23
  • Manufacturer: Vishay Intertech

دیتاشیت محصولات مشابه