BC858W,115 دیتاشیت

BC858W,115

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BC858W,115
حجم فایل 51.873 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

دانلود دیتاشیت BC858W,115

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Nexperia BC857W,115
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 200mW
  • Transition Frequency (fT): 100MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 125@2mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 15nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 45V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 250mV@100mA,5mA
  • Package: SOT-323(SC-70)
  • Manufacturer: Nexperia