MMBTH10-7-F دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
MMBTH10-7-F
|
|
حجم فایل
|
119.196
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
3
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
-
Datasheet:
Diodes Incorporated MMBTH10-7-F
-
Transistor Type:
NPN
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Collector Current (Ic):
50mA
-
Power Dissipation (Pd):
300mW
-
Transition Frequency (fT):
650MHz
-
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce):
60@4mA,10V
-
Collector Cut-Off Current (Icbo):
100nA
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo):
25V
-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib):
500mV@4mA,400uA
-
Package:
SOT-23
-
Manufacturer:
Diodes Incorporated
