IQE006NE2LM5 دیتاشیت

IQE006NE2LM5

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IQE006NE2LM5
حجم فایل 50.889 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت IQE006NE2LM5

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: -
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IQE006NE2LM5
  • Power Dissipation (Pd): -
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
  • Drain Source Voltage (Vdss): -
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): -
  • Continuous Drain Current (Id): -
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): -
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): -
  • Package: TDSON-8-EP(3.3x3.3)
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه