HYG035N10NS2B دیتاشیت

HYG035N10NS2B

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HYG035N10NS2B
حجم فایل 64.4 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت HYG035N10NS2B

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: -
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HYG035N10NS2B
  • Power Dissipation (Pd): -
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
  • Drain Source Voltage (Vdss): -
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): -
  • Continuous Drain Current (Id): -
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): -
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): -
  • Package: TO-263
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه