دیتاشیت PSMN4R8-100BSEJ

PSMN4R8-100BSEJ

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PSMN4R8-100BSEJ
حجم فایل 69.235 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

PSMN4R8-100BSEJ

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Nexperia PSMN4R8-100BSEJ
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 405W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 278nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 14400pF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 120A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@1mA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.8mΩ@10V,25A
  • Package: SOT-404
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه