DMN4800LSSQ-13 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
DMN4800LSSQ-13
|
|
حجم فایل
|
85.758
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
6
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Diodes Incorporated DMN4800LSSQ-13
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
1.46W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
8.7nC@5V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
30V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
798pF@10V
-
Continuous Drain Current (Id):
8.6A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
1.6V@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
14mΩ@10V,9A
-
Package:
SO-8
-
Manufacturer:
Diodes Incorporated
