SI7460DP-T1-E3 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
SI7460DP-T1-E3
|
|
حجم فایل
|
84.043
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
12
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Vishay Intertech SI7460DP-T1-E3
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
1.9W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
100nC@10V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
60V
-
Continuous Drain Current (Id):
11A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
3V@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
9.6mΩ@10V,18A
-
Package:
PowerPAK-SO-8
-
Manufacturer:
Vishay Intertech
