AP50T10GP دیتاشیت

AP50T10GP

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت AP50T10GP
حجم فایل 78.885 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت AP50T10GP

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: APEC(Advanced Power Elec) AP50T10GP
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 89.2W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 42nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1840pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 37A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 130pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 30mΩ@10V,24A
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: APEC(Advanced Power Elec)

محصولات مشابه