BCR 129 E6327 数据手册

BCR 129S H6327

数据手册规格

数据手册名称 BCR 129S H6327
文件大小 49.635 千字节
文件类型 pdf
页数 11

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技术规格

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Digital Transistors
  • Datasheet: Infineon Technologies BCR 129 E6327
  • Transistor Type: 1 NPN - Pre Biased
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 200mW
  • Transition Frequency (fT): 150MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 120@5mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 50V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 300mV@10mA,500uA
  • Package: SOT-23
  • Manufacturer: Infineon Technologies