SQM120P06-07L_GE3 دیتاشیت

SQM120P06-07L_GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SQM120P06-07L_GE3
حجم فایل 89.318 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت SQM120P06-07L_GE3-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SQM120P06-07L_GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 375W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 270nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 14280pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 120A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6.7mΩ@10V,30A
  • Package: TO-263
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه