PHB20N06T,118 دیتاشیت

PHB20N06T,118

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PHB20N06T,118
حجم فایل 60.982 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت PHB20N06T,118-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Nexperia PHB20N06T,118
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 62W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 11nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 55V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 320pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 20.3A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@1mA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 64pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 64mΩ@10V,10A
  • Package: SOT-404
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه