- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت IPD30N10S3L34ATMA1
دیتاشیت IPD30N10S3L34ATMA1
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | IPD30N10S3L34ATMA1 |
|---|---|
| حجم فایل | 61.784 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 9 |
IPD30N10S3L34ATMA1 |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: -
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Infineon Technologies IPD30N10S3L-34
- Power Dissipation (Pd): -
- Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
- Drain Source Voltage (Vdss): -
- Input Capacitance (Ciss@Vds): -
- Continuous Drain Current (Id): -
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): -
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): -
- Package: TO-252
- Manufacturer: Infineon Technologies
