HSBA005N04 دیتاشیت

HSBA005N04

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HSBA005N04
حجم فایل 61.425 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت HSBA005N04

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUASHUO HSBA005N04
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 35W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 145nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 40V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 8358pF@20V
  • Continuous Drain Current (Id): 189A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 117pF@20V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 0.55mΩ@10V,30A
  • Package: PRPAK(5x6)
  • Manufacturer: HUASHUO

محصولات مشابه