IPD50R3K0CE دیتاشیت

IPD50R3K0CE

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPD50R3K0CE
حجم فایل 71.729 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

دانلود دیتاشیت IPD50R3K0CE

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: -
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPD50R3K0CE
  • Power Dissipation (Pd): -
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
  • Drain Source Voltage (Vdss): -
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): -
  • Continuous Drain Current (Id): -
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): -
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): -
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه