HYG055N08NS1B دیتاشیت

HYG055N08NS1B

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HYG055N08NS1B
حجم فایل 65.284 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

دانلود دیتاشیت HYG055N08NS1B

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HYG055N08NS1B
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 187.5W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 60nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 80V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 3.66nF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 120A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 15pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 5.3mΩ@10V,50A
  • Package: TO-263
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه