IPP083N10N5 دیتاشیت

IPP083N10N5

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPP083N10N5
حجم فایل 50.526 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت IPP083N10N5

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPP083N10N5
  • Power Dissipation (Pd): 100W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Continuous Drain Current (Id): 73A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.8V@49uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 8.3mΩ@10V,73A
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه