دیتاشیت IPD180N10N3 G
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | IPD180N10N3 G |
|---|---|
| حجم فایل | 64.983 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 9 |
دانلود دیتاشیت IPD180N10N3 G |
IPD180N10N3 G Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Infineon Technologies IPD180N10N3 G
- Power Dissipation (Pd): 71W
- Drain Source Voltage (Vdss): 100V
- Continuous Drain Current (Id): 43A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@33uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 18mΩ@10V,33A
- Package: TO-252
- Manufacturer: Infineon Technologies
