- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت IPD25DP06NM
IPD25DP06NM دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | IPD25DP06NM |
|---|---|
| حجم فایل | 46.594 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 10 |
دانلود دیتاشیت IPD25DP06NM |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: P Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Infineon Technologies IPD25DP06NM
- Power Dissipation (Pd): 28W
- Drain Source Voltage (Vdss): 60V
- Continuous Drain Current (Id): 6.5A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@270uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 250mΩ@10V,6.5A
- Package: TO-252
- Manufacturer: Infineon Technologies
