Infineon Technologies IPA90R1K2C3 دیتاشیت

IPA90R1K2C3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPA90R1K2C3
حجم فایل 68.609 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت IPA90R1K2C3-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPA90R1K2C3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C
  • Power Dissipation (Pd): 31W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 900V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 710pF@100V
  • Continuous Drain Current (Id): 5.1A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@0.31mA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.2Ω@10V,2.8A
  • Package: TO-220F-3

محصولات مشابه