VBL1101M دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
VBL1101M
|
|
حجم فایل
|
64.09
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
8
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
VBsemi Elec VBL1101M
-
Power Dissipation (Pd):
105W
-
Drain Source Voltage (Vdss):
100V
-
Continuous Drain Current (Id):
20A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
3V@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
100mΩ@10V,20A
-
Package:
TO-263
-
Manufacturer:
VBsemi Elec
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
-
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
-
-
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds):
-
