- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت ME35N10-G
MATSUKI ME35N10-G دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | ME35N10-G |
|---|---|
| حجم فایل | 73.997 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 5 |
دانلود دیتاشیت ME35N10-G |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- Number: 1 N-channel
- RDS(on): 17mΩ
- Gate Charge(Qg): 54.2nC
- Ciss-Input Capacitance: 4.4nF
- Pd - Power Dissipation: 27.8W
- Drain to Source Voltage: 100V
- Operating Temperature -: -55℃~+150℃
- Current - Continuous Drain(Id): 28.1A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)): 3V
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 233pF
- Package: TO-252-2
