PHB32N06LT,118 دیتاشیت

PHB32N06LT,118

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PHB32N06LT,118
حجم فایل 56.447 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت PHB32N06LT,118-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Nexperia PHB32N06LT,118
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 97W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 17nC@5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1280pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 34A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@1mA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 100pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 31.5mΩ@4.5V,20A
  • Package: SOT-404
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه