PPT89T30V5AE2M دیتاشیت

PPT89T30V5AE2M

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PPT89T30V5AE2M
حجم فایل 48.221 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

دانلود دیتاشیت PPT89T30V5AE2M

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Shanghai Prisemi Elec PPT89T30V5AE2M
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: -
  • Collector Current (Ic): 5A
  • Power Dissipation (Pd): 3W
  • Transition Frequency (fT): 120MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 100@500mA,2V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 500nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 20V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 300mV@4A,100mA
  • Package: SOT-89
  • Manufacturer: Shanghai Prisemi Elec

محصولات مشابه