SIS414DN-T1-GE3 دیتاشیت

SIS414DN-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SIS414DN-T1-GE3
حجم فایل 91.537 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت SIS414DN-T1-GE3-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SIS414DN-T1-GE3
  • Power Dissipation (Pd): 31W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Continuous Drain Current (Id): 20A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 16mΩ@4.5V,10A
  • Package: PowerPAK1212-8
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه