- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت VBFB1208N
VBFB1208N دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | VBFB1208N |
|---|---|
| حجم فایل | 68.487 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 6 |
دانلود دیتاشیت VBFB1208N |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: VBsemi Elec VBFB1208N
- Power Dissipation (Pd): 145W
- Drain Source Voltage (Vdss): 200V
- Continuous Drain Current (Id): 25A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 56mΩ@10V,25A
- Package: TO-251
- Manufacturer: VBsemi Elec
