- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت IPB70N12S3-11
IPB70N12S3-11 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | IPB70N12S3-11 |
|---|---|
| حجم فایل | 70.56 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 9 |
دانلود دیتاشیت IPB70N12S3-11 |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Infineon Technologies IPB70N12S3-11
- Power Dissipation (Pd): 125W
- Drain Source Voltage (Vdss): 120V
- Continuous Drain Current (Id): 70A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@83uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 11.6mΩ@10V,70A
- Package: TO-263-3
- Manufacturer: Infineon Technologies
