NCE6020AI دیتاشیت

NCE6020AI

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NCE6020AI
حجم فایل 80.832 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت NCE6020AI-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

NCE6020AI 7 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi NCE Power Semiconductor NCE6020AI
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C
  • Power Dissipation (Pd): 45W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 25nC@30V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 500pF@30V
  • Continuous Drain Current (Id): 20A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 25pF
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 35mΩ@10V
  • Package: TO-251