- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت SPA11N60C3
SPA11N60C3 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | SPA11N60C3 |
|---|---|
| حجم فایل | 90.961 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 16 |
دانلود دیتاشیت SPA11N60C3 |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Infineon Technologies SPA11N60C3
- Power Dissipation (Pd): 33W
- Drain Source Voltage (Vdss): 600V
- Continuous Drain Current (Id): 11A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.9V@500uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 380mΩ@10V,7A
- Package: TO-220F-3
- Manufacturer: Infineon Technologies