IPD100N04S4-02 دیتاشیت

IPD100N04S4-02

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPD100N04S4-02
حجم فایل 61.465 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت IPD100N04S4-02

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPD100N04S4-02
  • Power Dissipation (Pd): 150W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 40V
  • Continuous Drain Current (Id): 100A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@95uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2mΩ@10V,100A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه