SI1411DH-T1-GE3 دیتاشیت

SI1411DH-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI1411DH-T1-GE3
حجم فایل 86.298 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت SI1411DH-T1-GE3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI1411DH-T1-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 6.3nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 150V
  • Continuous Drain Current (Id): 420mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4.5V@100uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.6Ω@10V,500mA
  • Package: SC-70-6(SOT-363)
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه