SVF2N60RM دیتاشیت

SVF2N60RM

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SVF2N60RM
حجم فایل 58.963 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت SVF2N60RM

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Hangzhou Silan Microelectronics SVF2N60RM
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 34W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 8.92nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 600V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 250pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 2A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 2.7pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 3.7Ω@10V,1A
  • Package: TO-251
  • Manufacturer: Hangzhou Silan Microelectronics

محصولات مشابه