NTMT190N65S3HF دیتاشیت

NTMT190N65S3HF

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NTMT190N65S3HF
حجم فایل 50.018 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت NTMT190N65S3HF-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi NTMT190N65S3HF
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 162W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 34nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1610pF@400V
  • Continuous Drain Current (Id): 20A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 5V@430uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 159mΩ@10V,10A
  • Package: PQFN-4(8x8)
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه