GOFORD G110N06T دیتاشیت

G110N06T

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت G110N06T
حجم فایل 82.491 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت G110N06T-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Type: N-Channel
  • Number: 1 N-channel
  • RDS(on): 8.4mΩ
  • Gate Charge(Qg): 122nC
  • Ciss-Input Capacitance: 4.885nF
  • Pd - Power Dissipation: 160W
  • Drain to Source Voltage: 60V
  • Operating Temperature -: -55℃~+150℃
  • Output Capacitance(Coss): 323pF
  • Current - Continuous Drain(Id): 110A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)): 2.5V
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 308pF
  • Package: TO-220

محصولات مشابه