PMXB65ENEZ دیتاشیت

PMXB65ENEZ

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PMXB65ENEZ
حجم فایل 58.578 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 15

مشاهده دیتاشیت PMXB65ENEZ

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Nexperia PMXB65ENEZ
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 400mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 6nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 295pF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 3.2A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 31pF@15V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 44mΩ@10V,3.2A
  • Package: SOT1215
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه