GT110N06S دیتاشیت

GT110N06S

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت GT110N06S
حجم فایل 81.716 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت GT110N06S

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: GOFORD GT110N06S
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 3W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 24nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1300pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 14A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 54pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 8.5mΩ
  • Package: SOP-8
  • Manufacturer: GOFORD

محصولات مشابه