HYG025N04NA1D دیتاشیت

HYG025N04NA1D

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HYG025N04NA1D
حجم فایل 62.079 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت HYG025N04NA1D-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HYG025N04NA1D
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 93W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 122.6nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 40V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 5.625nF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 125A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.7V@2.5mA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 569pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.5mΩ@10V,40A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه