دیتاشیت BFS 483 H6327
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
BFS 483 H6327
|
| حجم فایل |
46.394
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
6
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
-
Datasheet:
Infineon Technologies BFS 483 H6327
-
Transistor Type:
2 NPN
-
Operating Temperature:
+150°C@(Tj)
-
Collector Current (Ic):
65mA
-
Power Dissipation (Pd):
450mW
-
Transition Frequency (fT):
8GHz
-
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce):
100@15mA,8V
-
Collector Cut-Off Current (Icbo):
100nA
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo):
12V
-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib):
-
-
Package:
SOT-363
-
Manufacturer:
Infineon Technologies
