IRFHM830TRPBF دیتاشیت

IRFHM830TRPBF

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IRFHM830TRPBF
حجم فایل 102.397 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت IRFHM830TRPBF

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IRFHM830TRPBF
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 2.7W;37W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 31nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2155pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 21A;40A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.35V@50uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 3.8mΩ@10V,20A
  • Package: PQFN(3.3x3.3)
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه