HSBL020N08 دیتاشیت

HSBL020N08

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HSBL020N08
حجم فایل 78.259 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت HSBL020N08

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUASHUO HSBL020N08
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 225W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 204nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 80V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 13650pF@45V
  • Continuous Drain Current (Id): 240A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 580pF@45V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.4mΩ@10V,50A
  • Package: TOLL
  • Manufacturer: HUASHUO

محصولات مشابه