دیتاشیت KTD1302-AT/P
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
KTD1302-AT/P
|
| حجم فایل |
69.687
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
2
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
-
Datasheet:
KEC Semicon KTD1302-AT/P
-
Transistor Type:
NPN
-
Operating Temperature:
+150°C@(Tj)
-
Collector Current (Ic):
300mA
-
Power Dissipation (Pd):
625mW
-
Transition Frequency (fT):
60MHz
-
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce):
200@4mA,2V
-
Collector Cut-Off Current (Icbo):
100nA
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo):
20V
-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib):
250mV@100mA,10mA
-
Package:
TO-92
-
Manufacturer:
KEC Semicon
