GT100N12D5 دیتاشیت

GT100N12D5

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت GT100N12D5
حجم فایل 82.465 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت GT100N12D5

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: GOFORD GT100N12D5
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 120W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 50nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 120V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 3050pF@60V
  • Continuous Drain Current (Id): 70A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 22pF@60V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 7.5mΩ
  • Package: DFN-8(5x6)
  • Manufacturer: GOFORD

محصولات مشابه