HYG025N06LS1C2 دیتاشیت

HYG025N06LS1C2

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HYG025N06LS1C2
حجم فایل 68.025 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت HYG025N06LS1C2

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HYG025N06LS1C2
  • Operating Temperature: +175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 130W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 28.2nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 3.915nF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 170A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.1V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 10.2pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.1mΩ@10V,20A
  • Package: DFN-8(5x6)
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه