HYG020N06LS1P دیتاشیت

HYG020N06LS1P

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HYG020N06LS1P
حجم فایل 64.982 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت HYG020N06LS1P

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HYG020N06LS1P
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 230W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 112nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 7236pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 210A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.1V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 37pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2mΩ@10V,50A
  • Package: TO-220FB-3L
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه