دیتاشیت SIR802DP-T1-GE3-VB
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | SIR802DP-T1-GE3-VB |
|---|---|
| حجم فایل | 79.265 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 7 |
دانلود دیتاشیت SIR802DP-T1-GE3-VB |
SIR802DP-T1-GE3-VB Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: VBsemi Elec SIR802DP-T1-GE3-VB
- Power Dissipation (Pd): 250W
- Drain Source Voltage (Vdss): 30V
- Continuous Drain Current (Id): 100A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.8mΩ@10V,32A
- Package: DFN-8(5x6)
- Manufacturer: VBsemi Elec