DMN2016UTS-13 دیتاشیت

DMN2016UTS-13

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت DMN2016UTS-13
حجم فایل 76.461 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت DMN2016UTS-13

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 2 N-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Diodes Incorporated DMN2016UTS-13
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 880mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 16.5nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1495pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 8.58A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 14.5mΩ@4.5V,9.4A
  • Package: TSSOP-8
  • Manufacturer: Diodes Incorporated

محصولات مشابه