IRFB11N50APBF دیتاشیت

IRFB11N50APBF

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IRFB11N50APBF
حجم فایل 59.226 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت IRFB11N50APBF

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IRFB11N50APBF
  • Power Dissipation (Pd): 170W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 500V
  • Continuous Drain Current (Id): 11A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 520mΩ@10V,6.6A
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه