SIHP25N60EFL-GE3 دیتاشیت

SIHP25N60EFL-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SIHP25N60EFL-GE3
حجم فایل 93.932 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت SIHP25N60EFL-GE3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SIHP25N60EFL-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 250W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 75nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 600V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2274pF@100V
  • Continuous Drain Current (Id): 25A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 146mΩ@10V,12.5A
  • Package: TO-220-3
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه