PNMT6N1B دیتاشیت

PNMT6N1B

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PNMT6N1B
حجم فایل 66.4 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت PNMT6N1B-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Shanghai Prisemi Elec PNMT6N1B
  • Power Dissipation (Pd): 1.2W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 40V
  • Continuous Drain Current (Id): 3A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4Ω@4.5V,200mA
  • Package: DFN-6(2x2)
  • Manufacturer: Shanghai Prisemi Elec

محصولات مشابه