NCE65T180T دیتاشیت

NCE65T180T

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NCE65T180T
حجم فایل 79.142 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

دانلود دیتاشیت NCE65T180T

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi NCE Power Semiconductor NCE65T180T
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 188W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 36nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.25nF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 21A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 1.6pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 150mΩ@10V,10.5A
  • Package: TO-247
  • Manufacturer: Wuxi NCE Power Semiconductor

محصولات مشابه